Influence of SiC MOSFET Device Parameters on Zero-Voltage Switching Losses

Lehmeier T, Zhou Y, März M, Pai AP (2025)

Publication Language: English

Publication Type: Conference contribution, Conference Contribution

Publication year: 2025

Publisher: VDE

Pages Range: 1928 - 1934

Conference Proceedings Title: DOI: 10.30420/566541254

Event location: Nuremberg, Germany

URI: https://www.vde-verlag.de/proceedings-de/566541254.html

DOI: 10.30420/566541254

Authors with CRIS profile

Thomas Lehmeier Lehrstuhl für Leistungselektronik (LEE) Yan Zhou Lehrstuhl für Leistungselektronik (LEE) Martin März Lehrstuhl für Leistungselektronik (LEE) Ajay Poonjal Pai Lehrstuhl für Leistungselektronik (LEE)

How to cite

APA:

Lehmeier, T., Zhou, Y., März, M., & Pai, A.P. (2025). Influence of SiC MOSFET Device Parameters on Zero-Voltage Switching Losses. In VDE (Eds.), DOI: 10.30420/566541254 (pp. 1928 - 1934). Nuremberg, Germany: VDE.

MLA:

Lehmeier, Thomas, et al. "Influence of SiC MOSFET Device Parameters on Zero-Voltage Switching Losses." Proceedings of the PCIM Conference 2025; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, Nuremberg, Germany Ed. VDE, VDE, 2025. 1928 - 1934.

BibTeX: Download